Yole：2028年系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP)市場(chǎng)將達(dá)338億美元

  ICC訊（編譯：Nina）2022年，系統(tǒng)級(jí)封裝(System-in-Package，SiP)市場(chǎng)總收入達(dá)到212億美元。在5G、人工智能(AI)、高性能計(jì)算(HPC)、自動(dòng)駕駛和物聯(lián)網(wǎng)(IoT)等細(xì)分市場(chǎng)中異構(gòu)集成、小芯片(chiplet)、封裝面積和成本優(yōu)化趨勢(shì)的推動(dòng)下，預(yù)計(jì)2028年該市場(chǎng)總收入將達(dá)到338億美元，年復(fù)合增長(zhǎng)率(CAGR)為8.1%。

  細(xì)分市場(chǎng)來(lái)看，移動(dòng)和消費(fèi)主導(dǎo)SiP市場(chǎng)，占2022年總收入的89%，且未來(lái)將繼續(xù)主導(dǎo)市場(chǎng)，年復(fù)合增長(zhǎng)率為6.5%。驅(qū)動(dòng)該細(xì)分市場(chǎng)的動(dòng)力包括：2.5D/3D技術(shù)在手機(jī)、高端PC和游戲領(lǐng)域的日益普及，高端手機(jī)設(shè)備的高清FO，以及手機(jī)和可穿戴設(shè)備中更多的FC/WB SiP。電信和基礎(chǔ)設(shè)施市場(chǎng)預(yù)計(jì)將在未來(lái)幾年增長(zhǎng)20.2%，驅(qū)動(dòng)力包括AI、HPC和網(wǎng)絡(luò)領(lǐng)域不斷提高的性能要求。汽車(chē)市場(chǎng)正在以15.3%的年復(fù)合增長(zhǎng)率增長(zhǎng)，驅(qū)動(dòng)力包括汽車(chē)電氣化和自動(dòng)駕駛趨勢(shì)，也包括ADAS和LiDAR等應(yīng)用，這些應(yīng)用需求更多數(shù)量的傳感器和攝像頭。

  SiP供應(yīng)鏈變得有競(jìng)爭(zhēng)力，專(zhuān)注于團(tuán)隊(duì)合作以實(shí)現(xiàn)最佳

  分區(qū)域來(lái)看，亞洲市場(chǎng)占主導(dǎo)，收入占77%。日本占比最高(41%)，主要得益于索尼的3D CIS市場(chǎng)。北美市場(chǎng)(得益于Amkor和Intel的貢獻(xiàn))占據(jù)了23%的收入，歐洲占據(jù)了剩余市場(chǎng)的2%。對(duì)于FC/WB-SiP，它主要由OSAT組成，包括ASE(帶SPIL)、Amkor、JCET、TFME、PTI、Huatian、ShunSin和Inari。FO-SiP由臺(tái)積電憑借其InFO生產(chǎn)線占據(jù)主導(dǎo)地位。2.5D/3D SiP主要是索尼的CIS市場(chǎng)，其次是臺(tái)積電的Si中介層、Si橋和3D SoC堆疊。

  在小芯片、異構(gòu)集成、成本優(yōu)化和占地面積減少趨勢(shì)的推動(dòng)下，SiP吸引了更多的參與者進(jìn)入供應(yīng)鏈?zhǔn)袌?chǎng)。芯片和內(nèi)存廠商、無(wú)晶圓廠和代工廠/內(nèi)存廠商之間的合作模式越來(lái)越多，以引入HBM3、AI產(chǎn)品、小芯片技術(shù)和混合鍵合等前沿技術(shù)。

  隨著OSAT和IC基板業(yè)務(wù)與世界其他地區(qū)越來(lái)越兼容，SiP在中國(guó)的足跡越來(lái)越大。他們的OSAT/EMS/代工業(yè)務(wù)模式在SiP市場(chǎng)上受到關(guān)注。中國(guó)企業(yè)的目標(biāo)是開(kāi)發(fā)封裝技術(shù)來(lái)解決小芯片和混合鍵合，以實(shí)現(xiàn)規(guī)?；?，并能夠提供有競(jìng)爭(zhēng)力的產(chǎn)品。

  SiP由小芯片和異構(gòu)集成驅(qū)動(dòng)

  SiP技術(shù)趨勢(shì)依然強(qiáng)勁，因?yàn)樾袠I(yè)繼續(xù)要求更多的集成，以實(shí)現(xiàn)更小的外形尺寸和更高性能的產(chǎn)品。在移動(dòng)和消費(fèi)市場(chǎng)中，由于空間有限，非常需要進(jìn)行占地面積優(yōu)化——這適用于智能手機(jī)、可穿戴設(shè)備和其他設(shè)備。例如，5G在高端智能手機(jī)中的滲透推動(dòng)了SiP在RF和連接模塊中的應(yīng)用，需要集成更多組件并縮短其互連，以實(shí)現(xiàn)所需的性能。

  隨著AI和HPC的興起，人們?cè)絹?lái)越關(guān)注小芯片和異構(gòu)集成解決方案。這推動(dòng)了更復(fù)雜的高級(jí)SiP解決方案的采用，尤其是UHD FO和2.5D/3D封裝，以實(shí)現(xiàn)更高的密度、更低的帶寬和更高的性能要求。

  由于需要更小的L/S、高密度的FO rdl和2.5D/3D技術(shù)，如橋接、中間層和3D堆疊等混合鍵合技術(shù)，以在SiP封裝中集成更多組件，因此該路線圖仍然具有挑戰(zhàn)性。