芯速聯(lián)光電楊明：構(gòu)建芯片模塊垂直研發(fā)制造 賦能高速光模塊核心競爭力

  ICC訊 6月15日，在2023中國光網(wǎng)絡(luò)研討會(huì)（OPTiNET CHINA）上，高速光芯片與光模塊供應(yīng)商商寧波芯速聯(lián)光電科技有限公司(簡稱“芯速聯(lián)”)創(chuàng)始人＆首席執(zhí)行官楊明發(fā)表了《基于自研芯片平臺(tái)的400G/800硅光模塊已開啟量產(chǎn)征程》的演講匯報(bào)，介紹了公司核心競爭力的成長，包括從硅光芯片到模塊的垂直整合能力，高性能產(chǎn)品量產(chǎn)情況，以及超級制造工廠的建設(shè)進(jìn)展。

  2023年以來，伴隨著人工智能應(yīng)用ChatGPT風(fēng)靡全球拉開了世界AI時(shí)代的帷幕，英偉達(dá)最新GH200 Grace Hopper 超級芯片和DGX GH200 超級計(jì)算機(jī)系統(tǒng)，以其強(qiáng)大的算力性能和通信硬件賦能 AI和數(shù)據(jù)中心發(fā)展。在傳統(tǒng)云服務(wù)需求之外，AI算力需求正在成為光通訊技術(shù)產(chǎn)業(yè)全新增長驅(qū)動(dòng)力， 400G/800G光模塊器件作為AI算力性能的關(guān)鍵硬件之一，其市場需求逐步超越行業(yè)預(yù)期。面對AI、云計(jì)算、互聯(lián)網(wǎng)流量驅(qū)動(dòng)高速光模塊市場加速放量，光通信如何及時(shí)抓住市場機(jī)遇？楊明認(rèn)為，充足的制造能力和垂直的研發(fā)能力是保障企業(yè)核心競爭力，贏下市場份額的關(guān)鍵。

  在制造方面，芯速聯(lián)擁有Chip-to-Transciver生產(chǎn)體系，在光芯片設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)，公司享有專利的Hyper Silicon芯片技術(shù)可以自主研發(fā)具有更低損耗、更高帶寬的PIC（光子集成電路）和AWG（平面光波導(dǎo)）芯片。在芯片制造環(huán)節(jié)，芯速聯(lián)與世界領(lǐng)先的SiPh（硅光）晶圓公司合作進(jìn)行獨(dú)特的SiPh晶圓和芯片后段處理。在芯片封裝和光模塊生產(chǎn)方面，芯速聯(lián)擁有自動(dòng)化耦合與側(cè)能力，通過專有的光組件設(shè)計(jì)和開發(fā)完成光芯片封裝，隨后通過低成本、高可靠性的COB封裝產(chǎn)線完成光模塊的批量生產(chǎn)。

  在研發(fā)方面，芯速聯(lián)建立了從硅光芯片到硅光模塊的垂直研發(fā)體系，包括AWG波分光器件芯片設(shè)計(jì)平臺(tái)、四通道/八通道光引擎/模塊設(shè)計(jì)平臺(tái)、硅光器件芯片設(shè)計(jì)平臺(tái)和DSP芯片設(shè)計(jì)平臺(tái)。目前公司已經(jīng)完成800G-1.6T關(guān)鍵技術(shù)的儲(chǔ)備，基于器件三位建模、光耦合/光學(xué)器件/器件高速信號仿真，以及高速PCB布線設(shè)計(jì)等能力，具備生光模塊各個(gè)環(huán)節(jié)的技術(shù)能力，持續(xù)推動(dòng)產(chǎn)品更新迭代。

  楊明介紹，芯速聯(lián)將公司所有技術(shù)特點(diǎn)整合成為Hyper Silicon解決方案，該方案具有八個(gè)優(yōu)勢，表現(xiàn)為PAM4自研平臺(tái)可以最小化每吉比特價(jià)格，最大化帶寬的密度和可擴(kuò)展性；PIC的小尺寸和簡單耦合可以使分立式成本降低30%；差分驅(qū)動(dòng)調(diào)制器可以提供高調(diào)制效率并支持Serdes直驅(qū)；高帶寬MZ調(diào)制器可支持高達(dá)200G/lane的動(dòng)態(tài)帶寬調(diào)制；硅光芯片SiN邊緣耦合可以消除非線性效應(yīng)以支持20dBm的高輸入功率；芯片后處理到模塊測試的全自動(dòng)化；MES制造系統(tǒng)監(jiān)控生產(chǎn)；以及12000平方米超級工廠快速響應(yīng)需求激增。

  在Hyper Silicon PIC技術(shù)方面，楊明進(jìn)一步介紹到，芯速聯(lián)工程團(tuán)隊(duì)來自全球，累計(jì)擁有超過35年的SiPh設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)，完成超過30次流片掩膜，在AWG、相干 PIC、4x25G PSM4等SiPh器件擁有成功經(jīng)驗(yàn)。公司團(tuán)隊(duì)開發(fā)的Hyper Silicon PIC面向400G DR4、800G DR8/DR4、1.6T DR8等主流市場產(chǎn)品應(yīng)用，可實(shí)現(xiàn)53.125Gbaud，具有4.5dB高消光比，通過采用邊緣耦合設(shè)計(jì)支持低損耗光纖陣列或透鏡耦合實(shí)現(xiàn)極低的片上損耗（<9dB）?；贖yper Silicon PIC的400G DR4光模塊TX功率、消光比、TDECQ和RX靈敏度（OMA）等皆領(lǐng)先于業(yè)內(nèi)平均水準(zhǔn)。

  在產(chǎn)品發(fā)展和規(guī)劃方面，芯速聯(lián)基于Hyper Silicon PAM4的400G DR4/800G DR8和相干400G ZR/ZR+模塊已在今年一季度正式量產(chǎn)，該產(chǎn)品的直驅(qū)版本預(yù)計(jì)于明年二季度推出樣品。公司800G產(chǎn)品正在送樣，明年有望實(shí)現(xiàn)部分產(chǎn)品量產(chǎn)。此外，公司的寧波中試線已經(jīng)完成從芯片到模塊的研發(fā)制造平臺(tái)建設(shè)，安徽超級工廠將在第二季度完成，將實(shí)現(xiàn)高速光模塊年產(chǎn)能75萬只，覆蓋400G/800G及1.6T 等產(chǎn)品，為贏得高速光模塊市場升級換代機(jī)遇搶占先機(jī)。