美國芯片法案下 臺(tái)積電恐首當(dāng)其沖

  ICC訊  據(jù)經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)報(bào)道，TrendForce13日?qǐng)?bào)告顯示美國《芯片法案》補(bǔ)貼細(xì)則明文規(guī)定獲補(bǔ)助者未來十年在中國大陸、朝鮮、伊朗與俄羅斯等，將被限制包含先進(jìn)制程與成熟制程在內(nèi)的相關(guān)投資活動(dòng)，臺(tái)積電恐首當(dāng)其沖。

  TrendForce認(rèn)為，根據(jù)《芯片法案》新細(xì)則來看，臺(tái)積電獲美方補(bǔ)貼后十年內(nèi)，大陸Fab16南京廠的16/12nm以及28/22nm產(chǎn)能擴(kuò)充將受限，且當(dāng)中85%產(chǎn)出須滿足大陸當(dāng)?shù)厥袌鲂枨螅由厦绹隹谝?guī)范要求跨國晶圓代工業(yè)者需申請(qǐng)?jiān)O(shè)備進(jìn)口許可證等，將降低臺(tái)積電未來在大陸的投資意愿。

  根據(jù)美國商務(wù)部的資料，針對(duì)美國的《芯片法案》，美國從3月31日開始接受前端芯片制造和封測產(chǎn)業(yè)的投資申請(qǐng)，5月1日起接受成熟制程的申請(qǐng)，6月26日開始接受所有項(xiàng)目的申請(qǐng)，美國《芯片法案》的影響將逐漸顯現(xiàn)。

  據(jù)臺(tái)媒經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)10日?qǐng)?bào)道，臺(tái)積電表示正在與美國政府就其旨在促進(jìn)美國半導(dǎo)體制造的《芯片法案》細(xì)則進(jìn)行溝通，該公司也表達(dá)了在補(bǔ)貼標(biāo)準(zhǔn)方面的擔(dān)憂。