九峰山實(shí)驗(yàn)室首批晶圓下線，實(shí)現(xiàn)高精密光柵芯片突破

  ICC訊  2023年3月19日，九峰山實(shí)驗(yàn)室工藝中心8寸中試線正式通線運(yùn)行，首批晶圓(高精密光柵)成功下線。這也標(biāo)志著實(shí)驗(yàn)室8寸0.15μm以上技術(shù)節(jié)點(diǎn)設(shè)備及工藝的全線打通，填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)高線密度、超高折射率、非周期性高精密光柵生產(chǎn)工藝空白。

  引入鍵合工藝，首批晶圓提前下線

  自2022年11月首臺(tái)設(shè)備遷入以來(lái)，九峰山實(shí)驗(yàn)室工藝平臺(tái)一直在緊鑼密鼓地進(jìn)行設(shè)備的遷入和調(diào)試。2023年3月，8寸線完成通線，并迎來(lái)第一批晶圓下線。

  與常規(guī)產(chǎn)品相比，高精密光柵最大工藝難點(diǎn)在于其玻璃襯底的特殊性：透明襯底導(dǎo)致機(jī)臺(tái)無(wú)法尋邊對(duì)中，對(duì)熱制程的敏感導(dǎo)致翹曲現(xiàn)象極易發(fā)生，機(jī)械性能差、易破易碎，背面潔凈度要求極高等。實(shí)驗(yàn)室工藝中心團(tuán)隊(duì)在充分調(diào)研及大量驗(yàn)證測(cè)試的基礎(chǔ)上，結(jié)合現(xiàn)有工藝設(shè)備能力，在兩周時(shí)間內(nèi)連續(xù)攻克了光刻曝光面內(nèi)不均勻、刻蝕不充分形貌坡度角大、薄膜膜層折射率低、襯底減薄邊緣碎片等十余項(xiàng)關(guān)鍵工藝問(wèn)題，并大膽引入臨時(shí)鍵合工藝的技術(shù)方案，系統(tǒng)性解決了玻璃襯底在制程中的各項(xiàng)工藝問(wèn)題，實(shí)現(xiàn)提前下線，也為此類產(chǎn)品良率的大幅提升開(kāi)辟了新道路。

  本次8寸中試線的順利通線和第一批晶圓下線，標(biāo)志著九峰山實(shí)驗(yàn)室工藝中心已經(jīng)初步具備8寸0.15μm以上技術(shù)節(jié)點(diǎn)設(shè)備及工藝流片能力，填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)高線密度、超高折射率、非周期性高精密光柵生產(chǎn)工藝空白。

  進(jìn)入全面運(yùn)營(yíng)期，實(shí)驗(yàn)室加速啟航

  2021年8月開(kāi)工，2022年11月首臺(tái)設(shè)備正式搬入，2023年3月8寸中試線正式通線運(yùn)行，在不到兩年時(shí)間內(nèi)，九峰山實(shí)驗(yàn)室高速完成建設(shè)期任務(wù)，進(jìn)入全面運(yùn)營(yíng)期。