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日本富士通擬自行設計2nm芯片,委托臺積電代工

摘要:日本科技大廠富士通計劃自行設計2納米制程的先進半導體,并打算委托臺積電代工生產(chǎn)。

  ICC訊  日本科技大廠富士通(Fujitsu)的高層表示,該公司計劃自行設計2納米制程的先進半導體,并打算委托臺積電代工生產(chǎn)。

  據(jù)報道,富士通首席技術(shù)官 Vivek Mahajan 周二在一場記者會上表示,該公司計劃自行設計 2 納米制程的先進半導體,打算委托晶圓代工龍頭臺積電代為生產(chǎn)。

  報道指出,富士通目標最快在 2026 年完成搭載該芯片的節(jié)能中央處理器 (CPU)。

  據(jù)了解,臺積電目前計劃在 2025 年量產(chǎn)2納米的芯片,該公司的先進制程技術(shù)藍圖目前只揭露到 2 納米,而對手三星電子日前已宣布將于2027年量產(chǎn)1.4 納米芯片,另外英特爾也透露 Intel 18A (相當于 1.8 納米) 測試芯片將于今年底前試產(chǎn)。

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關(guān)鍵字: 富士通 芯片 臺積電
文章標題:日本富士通擬自行設計2nm芯片,委托臺積電代工
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