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光芯片技術(shù)攻關(guān)及產(chǎn)業(yè)化立項(xiàng),將新增光刻、刻蝕等設(shè)備20余臺(tái)

摘要:5月23日,武漢敏芯半導(dǎo)體有限公司用于5G數(shù)據(jù)中心高速光芯片核心技術(shù)攻關(guān)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目立項(xiàng)。

  ICC訊 5月23日,武漢敏芯半導(dǎo)體有限公司用于5G數(shù)據(jù)中心高速光芯片核心技術(shù)攻關(guān)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目立項(xiàng)。 公示信息顯示,該項(xiàng)目針對(duì)目前國(guó)內(nèi)高端芯片嚴(yán)重依賴進(jìn)口的現(xiàn)狀,基于5G通信對(duì)高速光芯片的要求,開展相關(guān) DFB光芯片技術(shù)和工藝研究,完成5G高速光芯片中高帶寬,寬溫工作的技術(shù)難題攻關(guān);建設(shè)高速芯片生產(chǎn)制造線,完成產(chǎn)品的產(chǎn)業(yè)化及“國(guó)產(chǎn)化”替代,加快光通信產(chǎn)業(yè)升級(jí)。

  此外,項(xiàng)目將新增2英寸晶圓工藝的光刻機(jī)、反應(yīng)離子刻蝕設(shè)備、芯片測(cè)試機(jī)和網(wǎng)絡(luò)分析儀等設(shè)備共20余臺(tái),年產(chǎn)能增加2000萬(wàn)只,產(chǎn)值增加2億元。

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