華為麒麟芯片或將第一次“下單”中芯國際

  ICCSZ訊 近期，外媒報道稱，特朗普政府正在考慮改動美國法規(guī)，阻止臺積電等公司向華為技術公司供應芯片。有業(yè)內(nèi)人士指出，由于擔心美國擴大禁令后，會面臨臺積電“斷供”風險。華為海思擴大分散芯片制造來源，不斷增加對中芯國際的14nm和N+1制程技術的新流片New Tape-out(NTO)數(shù)量，包含華為手機中的核心麒麟Kirin芯片，也首度在中芯國際進行NTP。

  目前有可能轉交中芯國際生產(chǎn)的手機端麒麟芯片是麒麟710處理器，不過中間也面臨著12nm工藝向14nm工藝過渡的問題。

  中芯國際對于14nm工藝也十分上心，在疫情期間，中芯國際還在2月20日面向海外發(fā)行了6億美元的債券，超額認購11倍，獲得了大約42億元的融資，這些錢將用于擴充公司產(chǎn)能等，生產(chǎn)線上的工作人員采取四班二輪的輪崗制度繼續(xù)生產(chǎn)。

  此前中芯國際曾經(jīng)像ASML訂購了一臺EUV 機臺，目的是發(fā)展更先進的新工藝，但ASML礙于“美方顧慮”，遲遲未能正式出貨的許可。不過中芯國際表示，N+1 和 N+2 制程都不需要用到 EUV 光刻機，會等到設備就緒后，才會在 N+2 導入 EUV 光刻技術，已經(jīng)盡量讓 EUV 機臺無法進入研發(fā)的沖擊性降到最低。

  中芯國際在日前投資人會議上，也對外說明第一、二代 FinFET 制程 14nm 和 N+1 的進度。

  中芯國際 14nm 已開始小量產(chǎn)出，但 真正營收和產(chǎn)能放量會是在 2020 年底。在 2020 年，14nm 制程的產(chǎn)能將從 3000 片擴大到年底 15000 片。

  在第二代 FinFET 制程 N+1 在 2019 年第四季進入 NTO(New Tape-out)階段，目前正處于客戶產(chǎn)品認證期，預計 2020 年第四季可以看到小量產(chǎn)出。

  業(yè)界一般認為， N+1 約是 7nm 或 8nm 制程，因此會把中芯的 N+1 制程與臺積電的 7nm 相較。

  中芯國際則表示， N+1與7nm 制程十分接近，唯一不同是N+1的效能還不及7nm。不過，N+1 若與中芯自己的 14nm 相較，效能增加 20%、功耗減少 57%、邏輯面積減少 63%、SoC 面積減少 55%。