美國(guó)研究團(tuán)隊(duì)開發(fā)出硅基芯片上光通信技術(shù)

       ICCSZ訊 美國(guó)麻省理工學(xué)院發(fā)布消息稱，該校一個(gè)研究團(tuán)隊(duì)開發(fā)出一種新材料，可集成在硅基芯片上進(jìn)行光通信，從而比導(dǎo)線信號(hào)傳輸具有更高的速度和更低的能耗。該成果發(fā)布在最新出版的《自然·納米技術(shù)》期刊上。

       這種新材料為二碲化鉬，是近年來(lái)引人關(guān)注的二維過(guò)渡金屬硫化物的一種。這種超薄結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體可以集成在硅基芯片上，并可以在電極作用下發(fā)射或接收光信號(hào)。傳統(tǒng)上，砷化鎵是良好的光電材料，但很難與硅基材料兼容。此外，傳統(tǒng)的光電材料發(fā)出的光信號(hào)在可見光頻段，易被硅材料吸收；而二碲化鉬可發(fā)射紅外光，不易被硅吸收，因此適合在芯片上進(jìn)行光通信。

       目前，這一技術(shù)處于概念驗(yàn)證階段，距離實(shí)用還有一定距離。研究團(tuán)隊(duì)還在關(guān)注其它可集成在硅基芯片上的超薄材料（如黑磷等）在光通信領(lǐng)域的應(yīng)用。通過(guò)改變黑磷材料堆積的層數(shù)，可以調(diào)節(jié)其所發(fā)射光信號(hào)的波長(zhǎng)，從而與目前主流的光通信技術(shù)兼容。