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華興激光羅帥:國(guó)產(chǎn)化外延材料持續(xù)升級(jí) 補(bǔ)齊我國(guó)光通信產(chǎn)業(yè)短板

摘要:1月4日訊石“創(chuàng)芯時(shí)代”邳州論壇暨年度總結(jié)大會(huì),華興激光總經(jīng)理羅帥博士在其《半導(dǎo)體光電子外延材料國(guó)產(chǎn)化》報(bào)告中表示,獨(dú)立的外延產(chǎn)業(yè)是加速光通信芯片、器件突破瓶頸的助推器。隨著光通信器件逐步向高性能、低成本、集成化方向發(fā)展,國(guó)內(nèi)外延材料技術(shù)也將從分立器件材料向單片集成及異質(zhì)混合集成材料發(fā)展演進(jìn)。在5G商用驅(qū)動(dòng)下,未來光通信要實(shí)現(xiàn)更大增長(zhǎng),就應(yīng)當(dāng)充分推動(dòng)產(chǎn)業(yè)鏈的合理分工,在彼此領(lǐng)域投入最大的資源和力量,才能推動(dòng)產(chǎn)業(yè)研發(fā)持續(xù)升級(jí),才能將中國(guó)光通信的“木桶短板”補(bǔ)齊。

       ICCSZ(編輯:Aiur) 作為全球最大光通信單一市場(chǎng),中國(guó)光通信產(chǎn)業(yè)已在系統(tǒng)設(shè)備、器件模塊以及光纖光纜等領(lǐng)域具備強(qiáng)大的競(jìng)爭(zhēng)力,而在光通信芯片及材料方面,中國(guó)光通信產(chǎn)業(yè)同樣奮起直追,加速打破產(chǎn)業(yè)共性瓶頸,實(shí)現(xiàn)核心技術(shù)國(guó)產(chǎn)化替代,由此誕生了一批優(yōu)秀的產(chǎn)業(yè)代表,其中就有我國(guó)化合物半導(dǎo)體外延材料研發(fā)、制造和銷售供應(yīng)商——江蘇華興激光科技有限公司(簡(jiǎn)稱華興激光/HEPITAXY)。

       14日,在江蘇·邳州舉辦的訊石“創(chuàng)芯時(shí)代”邳州論壇暨年度總結(jié)大會(huì)上,華興激光總經(jīng)理羅帥博士發(fā)表《半導(dǎo)體光電子外延材料國(guó)產(chǎn)化》行業(yè)報(bào)告,深度分析了外延材料行業(yè)背景、外延核心關(guān)鍵技術(shù)以及國(guó)產(chǎn)化機(jī)遇與挑戰(zhàn)。


華興激光總經(jīng)理 羅帥博士

       羅帥表示III-V族半導(dǎo)體外延材料的下游是半導(dǎo)體激光器(激光二極管,LD),它是二十世紀(jì)人類最偉大的發(fā)明之一,具有超過60%的電光轉(zhuǎn)換效率,同時(shí)體積小、重量輕,已廣泛應(yīng)用于激光通信、激光傳感、激光存儲(chǔ)等信息光電子領(lǐng)域和激光泵浦、激光加工、激光雷達(dá)等能量光電子領(lǐng)域。

       5G可謂是半導(dǎo)體激光器市場(chǎng)發(fā)展的一支“興奮劑”。5G商用,承載先行。2019年是中國(guó)5G商用元年,隨著5G商用規(guī)模不斷擴(kuò)大,作為5G網(wǎng)絡(luò)承載基礎(chǔ)的光通信硬件設(shè)施也獲得更大的增長(zhǎng)空間。高速半導(dǎo)體激光器(10G/25G/50G/100G等)迎面趕上了5G市場(chǎng)需求爆發(fā)的機(jī)遇,正在進(jìn)入增長(zhǎng)的快車道。一系列5G承載采購案例也表明中國(guó)5G商用已拉開大幕。據(jù)統(tǒng)計(jì),2019年中國(guó)各省市和集團(tuán)運(yùn)營(yíng)商的彩光模塊直采規(guī)模達(dá)到185萬只,下半年華為完成約300萬只5G前傳光模塊招標(biāo)。

       5G對(duì)光通信模塊需求量的釋放,也直接推動(dòng)半導(dǎo)體激光器研發(fā)工藝的升級(jí)。羅帥表示,半導(dǎo)體激光器可以分為外延工藝、芯片工藝和封裝工藝,華興激光專注在外延工藝(Epi-wafer)上,使用先進(jìn)的金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD)設(shè)備,發(fā)揮公司在材料外延上的技術(shù)積累,為激光器芯片做好前道工序服務(wù)。而材料外延也是光芯片制備工藝的核心環(huán)節(jié),其質(zhì)量直接決定光芯片的工作性能。

       據(jù)羅帥介紹,在III-VGaAsInP材料襯底 (Substrate)上面進(jìn)行分布式反饋(DFB)激光器外延生長(zhǎng),一般需要經(jīng)過2外延生長(zhǎng),第一次外延要考慮材料晶格應(yīng)力、組分、摻雜、缺陷、表面顆粒度等,光電參數(shù)要看波長(zhǎng)、峰值強(qiáng)度、半高寬;第二次外延要考慮光柵周期、形貌保持、缺陷等,光電參數(shù)要看耦合因子和單模成品率。而對(duì)于電吸收調(diào)制激光器 (EML)需要三次以上外延生長(zhǎng),需要重點(diǎn)考慮對(duì)接生長(zhǎng)界面形貌和缺陷等,光電參數(shù)要看界面損耗和消光比等。

       生長(zhǎng)完成后,外延片需經(jīng)過精確的分析檢測(cè),針對(duì)外延片的界面、應(yīng)力、組分、厚度、缺陷、顆粒、摻雜、尺寸、形貌、遷移率、光電性能等參數(shù),這些參數(shù)要利用不同設(shè)備,以上都是投資巨大的硬資產(chǎn),而軟資產(chǎn)也需要通過技術(shù)摸索來持續(xù)提高量測(cè)準(zhǔn)確性和可靠性。羅帥認(rèn)為,為滿足下游芯片廠商需求,大規(guī)模量產(chǎn)是關(guān)鍵能力,它需要企業(yè)搭建可實(shí)時(shí)監(jiān)控和介入的全局生產(chǎn)流程,包括訂單評(píng)估、生產(chǎn)管控和售后管理等等。

       目前,在外延、芯片、器件/模塊、系統(tǒng)到運(yùn)營(yíng)商的產(chǎn)業(yè)鏈中,國(guó)外獨(dú)立的外延產(chǎn)業(yè)及垂直一體化已相對(duì)完善,而國(guó)內(nèi)外延材料產(chǎn)業(yè)處于起步階段,材料外延技術(shù)儲(chǔ)備主要集中在高校、科研院所,產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)薄弱。隨著5G光通信模塊市場(chǎng)需求增長(zhǎng),芯片、器件廠商對(duì)成本的控制更加迫切,國(guó)內(nèi)化合物半導(dǎo)體III-V族磷化銦(InP)、砷化鎵(GaAs外延材料開始逐漸被光通信芯片器件廠商重視。同時(shí),一些新興應(yīng)用領(lǐng)域如激光雷達(dá)、3D成像、激光加工等領(lǐng)域的發(fā)展也帶來大量新的外延材料需求,這給國(guó)內(nèi)外延材料產(chǎn)業(yè)帶來一次崛起的機(jī)遇。

       華興激光產(chǎn)線涵蓋外延材料生長(zhǎng)、電子束和全息光柵制作及材料表征測(cè)試等完整外延平臺(tái)設(shè)備。公司技術(shù)團(tuán)隊(duì)包含多位具有十年以上外延經(jīng)驗(yàn)的技術(shù)專家,能給客戶提供良好工藝穩(wěn)定性和靈活性的服務(wù)。目前,華興激光已經(jīng)穩(wěn)定出貨GaAs外延(2-6英寸)InP外延片(2-4英寸),年產(chǎn)能達(dá)5萬片(折合2英寸),包括808-1064nm GaAsFP/DFBInP10G 1310nm FP/DFB、1550nm DFB25G PD10G APD。25G DFB外延片也在快速認(rèn)證中。

       獨(dú)立的外延產(chǎn)業(yè)是加速光通信芯片、器件突破瓶頸的助推器。隨著光通信器件逐步向高性能、低成本、集成化方向發(fā)展,國(guó)內(nèi)外延材料技術(shù)也將從分立器件材料向單片集成及異質(zhì)混合集成材料發(fā)展演進(jìn)。在5G商用驅(qū)動(dòng)下,未來光通信要實(shí)現(xiàn)更大增長(zhǎng),就應(yīng)當(dāng)充分推動(dòng)產(chǎn)業(yè)鏈的合理分工,在彼此領(lǐng)域投入最大的資源和力量,才能推動(dòng)產(chǎn)業(yè)研發(fā)持續(xù)升級(jí),才能將中國(guó)光通信的“木桶短板”補(bǔ)齊。

       訊石相信,國(guó)產(chǎn)化外延材料將通過時(shí)間證明其是推動(dòng)我國(guó)光通信芯片升級(jí),乃至增強(qiáng)整體產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力的核心關(guān)鍵,而華興激光也將全力以赴貢獻(xiàn)補(bǔ)齊那塊“短板”的一份力量。

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