臺積電1.4nm制程命名為A14 有望于2027-2028年量產(chǎn)

  ICC訊 臺積電在IEEE國際電子器件會議（IEDM）的“邏輯的未來”小組上透露，臺積電1.4nm級制造技術(shù)的開發(fā)進展順利進行。臺積電強調(diào)，使用其2nm級制造工藝的量產(chǎn)有望在2025年實現(xiàn)。

  根據(jù)SemiAnalysis的Dylan Patel發(fā)布的幻燈片，臺積電的1.4nm生產(chǎn)節(jié)點正式命名為A14。目前，臺積電尚未透露計劃何時開始A14量產(chǎn)時程及其規(guī)格，但鑒于N2計劃于2025年末、N2P計劃于2026年末，因此可以合理猜測A14會在此之后2027-2028年間推出。

  但目前仍尚不清楚，臺積電是否會采用垂直堆疊互補場效應(yīng)晶體管（CEFT）結(jié)構(gòu)，或是沿用2nm制程將采用的環(huán)繞柵極場效應(yīng)晶體管（GAAFET）。

  仍有待觀察的是，臺積電是否會在2027年至2028年期間為其A14工藝技術(shù)采用高數(shù)值孔徑EUV（High NA EUV）光刻機。

  鑒于彼時英特爾等將采用并完善數(shù)值孔徑為0.55的下一代EUV光刻機，芯片代工廠商應(yīng)該更容易地使用它。然而，由于高數(shù)值孔徑EUV光刻機將掩模版尺寸減半，其使用將為芯片設(shè)計者和芯片制造商帶來一些額外的挑戰(zhàn)。