2023光電子技術(shù)高峰論壇｜分論壇一《通信光電子芯片與器件》圓滿舉辦

  ICC訊    5月15日，由海思光電有限公司主辦，訊石信息咨詢承辦的2023光電子技術(shù)高峰論壇在武漢成功舉辦，本次大會(huì)匯聚了400多位光電子領(lǐng)域?qū)I(yè)人士，共同探討光電技術(shù)的演進(jìn)趨勢(shì)，探索光聯(lián)接和光感知的新機(jī)遇。其中，“通信光電子芯片與器件” 分論壇圍繞高性能光/電芯片的技術(shù)演進(jìn)趨勢(shì)展開討論，探索高速光/電芯片的技術(shù)實(shí)現(xiàn)和產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)，來自飛思靈、Lumentum、華中科技大學(xué)、傲科光電和中科院半導(dǎo)體研究所等機(jī)構(gòu)的技術(shù)專家及學(xué)者進(jìn)行了深度的分析與探討。

  曹權(quán) 武漢飛思靈光電產(chǎn)品線技術(shù)總監(jiān)

  武漢飛思靈光電產(chǎn)品線技術(shù)總監(jiān)曹權(quán)發(fā)表《下一代高速相干光電芯片和器件的發(fā)展趨勢(shì)和展望》報(bào)告，高速相干光技術(shù)具有更長(zhǎng)的傳輸距離、更高的單纖容量以及高靈敏度的特點(diǎn)，被廣泛地應(yīng)用在長(zhǎng)途傳輸應(yīng)用場(chǎng)景。當(dāng)前200G光模塊已經(jīng)批量應(yīng)用，400G QPSK是未來幾年的應(yīng)用熱點(diǎn)。相干光器件面臨的主要挑戰(zhàn)包括超高帶寬、超寬波長(zhǎng)范圍和低成本，混合材料平臺(tái)、智慧化設(shè)計(jì)與先進(jìn)封裝架構(gòu)是相干光器件發(fā)展的新趨勢(shì)。

  馬廣鵬 Lumentum傳送產(chǎn)品線應(yīng)用工程總監(jiān)

  Lumentum傳送產(chǎn)品線應(yīng)用工程總監(jiān)馬廣鵬發(fā)表 《窄線寬光源的趨勢(shì)和技術(shù)演進(jìn)》報(bào)告，從驅(qū)動(dòng)力、可調(diào)原理、實(shí)現(xiàn)方法和發(fā)展趨勢(shì)等四個(gè)方面展開探討。帶寬的持續(xù)增長(zhǎng)是可調(diào)光源發(fā)展的主要驅(qū)動(dòng)力，密集波分從剛開始4/8/16波發(fā)展到后面的32/40/48/96以及現(xiàn)有的120波，加上高速相干應(yīng)用的引入和基于ROADM的業(yè)務(wù)調(diào)度需求，快速可調(diào)窄線寬可調(diào)光源必不可少。

  夏金松 華中科技大學(xué)教授

  華中科技大學(xué)夏金松教授發(fā)表《薄膜鈮酸鋰光子集成的進(jìn)展》報(bào)告，薄膜鈮酸鋰光子集成芯片是實(shí)現(xiàn)高性能芯片自主可控的重要機(jī)遇。薄膜PPLN波導(dǎo)在AOWC應(yīng)用的優(yōu)勢(shì)，包括小尺寸、超大光學(xué)帶寬和低噪聲系數(shù)等。而薄膜PPLN面臨的挑戰(zhàn)，主要是如何實(shí)現(xiàn)低成本的大規(guī)模制備工藝，尤其是采用DUV光刻制備LNOI光器件。

  曹建光 傲科光電市場(chǎng)發(fā)展總監(jiān)

  傲科光電市場(chǎng)發(fā)展總監(jiān)曹建光發(fā)表《128GB相干光通信關(guān)鍵技術(shù)》報(bào)告，伴隨著DCI應(yīng)用和高速相干模塊的發(fā)展，相干技術(shù)成為應(yīng)用場(chǎng)景更為廣闊的技術(shù)選擇?；谙喔杉夹g(shù)的通信鏈路具有高靈敏度、色散不受限、更長(zhǎng)傳輸距離的優(yōu)點(diǎn)。針對(duì)800G的應(yīng)用，TFLN具有低插損和帶寬大的優(yōu)勢(shì)，但同時(shí)也面臨不能集成PD和不能收發(fā)集成等挑戰(zhàn)。

  李明團(tuán)隊(duì)謝毓俊博士 中科院半導(dǎo)體研究所

  中科院半導(dǎo)體所研究員李明團(tuán)隊(duì) 謝毓俊博士發(fā)表《高速光通信器件建模及光電系統(tǒng)仿真應(yīng)用》報(bào)告，重點(diǎn)介紹了多種光子器件的多種模型建模仿真等，包括MZM、Ge/Si PD以及光柵耦合器等。

  甘甫烷 中科院上海微系統(tǒng)所研究員

  中科院上海微系統(tǒng)所研究員 甘甫烷發(fā)表《硅基光調(diào)制器發(fā)展研究》報(bào)告，如今蓬勃發(fā)展的數(shù)據(jù)需求使高度集成的光電芯片進(jìn)入前所未有的發(fā)展舞臺(tái)。硅基光子技術(shù)是可以大規(guī)模實(shí)現(xiàn)光子集成的一個(gè)優(yōu)良技術(shù)平臺(tái)，能提供高帶寬、低功耗、小尺寸的硅基調(diào)制技術(shù)，可以適用于單波長(zhǎng)200Gbps技術(shù)、共封裝光學(xué)（CPO）、以及近期產(chǎn)業(yè)熱點(diǎn)可插拔線性驅(qū)動(dòng)應(yīng)用（LPO）。

  祁楠團(tuán)隊(duì)李樂良博士 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所

  中科院半導(dǎo)體所研究員祁楠團(tuán)隊(duì) 李樂良博士發(fā)表《CMOS工藝兼容的硅基光電集成互連芯片設(shè)計(jì)》報(bào)告，光互連芯片應(yīng)用前景明朗，網(wǎng)絡(luò)芯片光接口和計(jì)算芯片光接口新型應(yīng)用為光互連芯片帶來更大的應(yīng)用空間?；贑MOS工藝的光電集成互連芯片可實(shí)現(xiàn)高帶寬密度、高能耗效率。芯片光接口開展光電融合集成芯片研究，可以形成從芯片-器件-系統(tǒng)的完整光電融合理論體系，突破光路與電路的協(xié)同設(shè)計(jì)技術(shù)。

  畢曉君 華中科技大學(xué)教授

  華中科技大學(xué)畢曉君教授發(fā)表《高性能硅基高速電芯片》報(bào)告，當(dāng)前業(yè)界聚焦快響應(yīng)TIA/CDR和高波特率TIA/Driver，包括高動(dòng)態(tài)范圍TIA和突發(fā)模式PAM4 CDR。當(dāng)前高速電路的帶寬已經(jīng)接近硅晶體管支撐的極限, 為立足現(xiàn)有工藝水平，提高電路速率，驅(qū)動(dòng)放大器提出分布式基極反饋線性化結(jié)構(gòu)，在維持低諧波失真的同時(shí)大幅提高增益帶寬積，可將驅(qū)動(dòng)放大器的速率從業(yè)界最高的64 GBaud大幅提高至130 GBaud。

  總 結(jié)

  眾所周知，決定光模塊性能關(guān)鍵在于底層的光/電芯片。本次“通信光電子芯片與器件”分論壇重點(diǎn)討論了光電芯片的系統(tǒng)需求和技術(shù)研究熱點(diǎn)，展望了高性能光電芯片技術(shù)的未來演進(jìn)。