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中國(guó)科學(xué)家研發(fā)摻鉺波導(dǎo)放大器,片上輸出光功率超140mW

摘要:瑞士洛桑聯(lián)邦理工團(tuán)隊(duì)首次在基于集成光子芯片的摻鉺波導(dǎo)放大器中,實(shí)現(xiàn)>145mW片上連續(xù)光輸出功率,比已報(bào)道的器件提高兩個(gè)數(shù)量級(jí)

  “我們首次在基于集成光子芯片的摻鉺波導(dǎo)放大器中,實(shí)現(xiàn)超過(guò) 145 毫瓦(>145mW)的片上連續(xù)光輸出功率,比已報(bào)道的器件提高兩個(gè)數(shù)量級(jí)。并在幾平方毫米的芯片面積上,實(shí)現(xiàn)了超過(guò) 30 分貝的片上連續(xù)光增益,這相當(dāng)于將輸入信號(hào)放大 1000 倍,也能滿足光通信在 C 波段以及部分 L 波段的應(yīng)用需求?!比鹗柯迳B?lián)邦理工(EPFL,école Polytechnique Fédérale de Lausanne)物理系教授托拜厄斯·J· 基彭伯格(Tobias J. Kippenberg)團(tuán)隊(duì)表示。

圖 | 基于鉺離子注入的氮化硅集成波導(dǎo)放大器,芯片尺寸為1厘米X1厘米。在泵浦光的激勵(lì)下,該波導(dǎo)放大器產(chǎn)生綠色的熒光

(來(lái)源:Laboratory of Photonics and Quantum Measurements (LPQM), EPFL.)

  他們談?wù)摰倪@一成果,正是近期發(fā)表在 Science 的一篇論文[1]。研究中,該團(tuán)隊(duì)在最長(zhǎng)達(dá) 0.5 米的超低損耗氮化硅集成光波導(dǎo)中,使用了高能鉺離子注入的方法進(jìn)行摻雜。這種稀土離子注入技術(shù)在 1991 年由當(dāng)時(shí)在美國(guó)貝爾實(shí)驗(yàn)室的阿爾貝托·波爾曼(Alberto Polman)教授(現(xiàn)任職于荷蘭原子分子國(guó)立研究所)在薄膜材料中驗(yàn)證。該團(tuán)隊(duì)在保證離子摻雜均勻性的同時(shí)實(shí)現(xiàn)了高達(dá) 0.3% 原子摻雜濃度,鉺離子分布與光模場(chǎng)重疊因子高達(dá) 50%,相比于其他稀土離子摻雜方式具有明顯的優(yōu)勢(shì)。

  高溫退火之后,離子注入后的波導(dǎo)仍然保持了小于 5 分貝每米的超低背景光損耗,相當(dāng)于在 1 米長(zhǎng)的光波導(dǎo)中光信號(hào)背景損耗小于 50%。課題組使用波長(zhǎng)在 1480 納米的泵浦光(約 245 毫瓦),實(shí)現(xiàn)了接近 60% 的最大片上光功率轉(zhuǎn)換效率。

  相關(guān)器件的放大性能,不僅能與最先進(jìn)的硅基異質(zhì)集成半導(dǎo)體光放大器增益性能相媲美,還達(dá)到了一些部分商用摻鉺光纖放大器的水平。此外,他們還展示了選擇性離子注入技術(shù),證明了任意定義芯片上鉺摻雜區(qū)域的可行性,借此制備出在同一個(gè)集成光子芯片上同時(shí)實(shí)現(xiàn)光增益單元與低損耗的無(wú)源功能器件,為實(shí)現(xiàn)大規(guī)模復(fù)雜的單片集成有源光子芯片提供了技術(shù)基礎(chǔ)。

(來(lái)源:Science)

  在應(yīng)用上,其最直接的一個(gè)應(yīng)用前景是實(shí)現(xiàn)尺寸極緊湊的高性能波導(dǎo)放大器,在對(duì)器件體積和重量敏感的部分應(yīng)用場(chǎng)景中取代臺(tái)式光纖放大器,比如在數(shù)據(jù)中心,移動(dòng)設(shè)備,和機(jī)載、星載設(shè)備中。

(來(lái)源:Science)

  進(jìn)一步的,該器件可以與其他片上光子功能器件集成在同一個(gè)光子芯片上,實(shí)現(xiàn)更復(fù)雜的、集成度更高的功能器件和系統(tǒng),比如低噪聲激光器、波長(zhǎng)可調(diào)激光器、光子雷達(dá)引擎等,以滿足光通信、集成微波光子學(xué)、量子信息存儲(chǔ)等重要領(lǐng)域的研究和應(yīng)用需求。

  其中,該團(tuán)隊(duì)的博士后劉陽(yáng)博士、博士生邱哲儒、博士生紀(jì)歆茹是論文主要作者;兩位 EPFL 前同事——目前就職于南京航空航天大學(xué)的何吉駿博士、和就職于深圳國(guó)際量子研究院劉駿秋博士,也參與了該工作。

  論文題為《基于光子集成電路的摻鉺放大器》(A photonic integrated circuit–based erbium-doped amplifier),發(fā)表之后還得到了 Science 的亮點(diǎn)報(bào)道[2]。

圖 | 相關(guān)論文(來(lái)源:Science)

  亟待解決的難題:在集成光子芯片中實(shí)現(xiàn)高性能、低串?dāng)_的光信號(hào)放大

  據(jù)介紹,作為一個(gè)可將微弱的光信號(hào)直接進(jìn)行光放大的器件,摻鉺光纖放大器被廣泛用于長(zhǎng)距離光纖通信網(wǎng)路和各種光纖激光中。摻鉺光纖放大器的實(shí)現(xiàn),是通過(guò)在光纖纖芯中注入了鉺(Er)離子這種稀土元素,使得在泵浦光源的激勵(lì)下,可直接對(duì)通信波段的光信號(hào)進(jìn)行放大。

  近二十年來(lái),集成光子芯片技術(shù)得到了迅速發(fā)展,也極大降低了光子信號(hào)處理器件的尺寸和功耗。然而,一直以來(lái)在集成光子芯片中實(shí)現(xiàn)高性能、低串?dāng)_的光信號(hào)放大,是一個(gè)亟待解決的難題。

  而本次團(tuán)隊(duì)將高濃度稀土鉺離子直接注入到集成光子芯片中,實(shí)現(xiàn)了集成光波導(dǎo)放大器,首次達(dá)到了與商用光纖放大器相當(dāng)?shù)男阅?,解決了實(shí)現(xiàn)集成高功率光放大器、低噪聲激光器、高脈沖功率鎖模激光器等重要光子器件的關(guān)鍵難題。

(來(lái)源:Science)

  其研究背景要從 20 世紀(jì) 80 年代說(shuō)起。當(dāng)時(shí),國(guó)際著名光子學(xué)專家、英國(guó)南安普頓大學(xué)光電子中心的佩恩爵士(Sir D. N. Payne),以及美國(guó)貝爾實(shí)驗(yàn)室的物理學(xué)家埃曼努爾·杜蘇庇爾(Emmanuel Desurvire)等研究人員發(fā)明了摻鉺光纖放大器,它的誕生是光纖通信技術(shù)的革命性突破。

  而華裔物理學(xué)家、諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)得主高錕發(fā)明的光纖,奠定了光通信的基礎(chǔ)。但是,只有在光纖放大器取代了傳統(tǒng)的、性能受限的電中繼器之后,光通信技術(shù)才得到了飛速發(fā)展,人們才能通過(guò)遍布全球的長(zhǎng)距離、跨洋光纖通信網(wǎng)絡(luò)與世界各地通信交流。

  稀土離子比如鉺、鐿、銩等具有獨(dú)特的 4f 殼層電子結(jié)構(gòu),這讓它們?cè)谒拗鞑牧现杏虚L(zhǎng)達(dá)幾個(gè)毫秒的激發(fā)態(tài)壽命,有利于實(shí)現(xiàn)粒子數(shù)反轉(zhuǎn)從而能放大光信號(hào)。同時(shí),毫秒級(jí)的長(zhǎng)激發(fā)態(tài)壽命能大大減低不同波段光信號(hào)之間的串?dāng)_,從而能在一個(gè)放大器中對(duì)處于多個(gè)波長(zhǎng)的光信號(hào)進(jìn)行放大,進(jìn)而極大地增加信道容量。

  如今,商用光纖放大器的噪聲系數(shù),已能非常接近于量子力學(xué)決定的非相敏光放大的極限噪聲性能(3分貝)。憑借這些特性,基于稀土離子摻雜的光纖放大器,成為了光通信技術(shù)中的理想增益介質(zhì)。

  此外,光纖放大器幾乎在所有光纖激光器應(yīng)用中都發(fā)揮著至關(guān)重要的作用,例如光纖傳感、頻率計(jì)量、激光雷達(dá)、激光加工等應(yīng)用。在目前世界上最精確的原子鐘里,光學(xué)頻率梳是用于將光學(xué)頻率轉(zhuǎn)換為射頻頻率的關(guān)鍵組件,其中也運(yùn)用了基于稀土離子摻雜的光纖放大器

  正因?yàn)榛谙⊥岭x子的光纖放大器的性能優(yōu)勢(shì)和在應(yīng)用上的巨大成功,在集成光子芯片上實(shí)現(xiàn)基于稀土離子的波導(dǎo)放大器,很自然地成為了一個(gè)重要研究目標(biāo),這將對(duì)于集成光子學(xué)的發(fā)展具有相當(dāng)重要的意義,能填補(bǔ)集成光子芯片上低噪聲光放大技術(shù)的空白。

  在過(guò)去 30 年里,全球許多團(tuán)隊(duì)都對(duì)稀土離子摻雜的波導(dǎo)放大器的研發(fā)做出了嘗試。例如,在 20 世紀(jì) 90 年代,美國(guó)貝爾實(shí)驗(yàn)室展開(kāi)了關(guān)于摻鉺波導(dǎo)放大器的開(kāi)創(chuàng)性研究,但由于當(dāng)時(shí)采用的基于低折射率的玻璃的波導(dǎo)器件受體積大、損耗高,無(wú)法與現(xiàn)代集成光子芯片微納加工工藝兼容等限制,相關(guān)研究逐漸相繼停滯。

  近十年來(lái),集成光子學(xué)的快速發(fā)展和器件加工工藝的不斷提升,對(duì)在主流集成光子材料平臺(tái)上實(shí)現(xiàn)摻鉺波導(dǎo)放大器,研究人員重新產(chǎn)生了濃厚興趣,此前已有團(tuán)隊(duì)制備出摻鉺氧化鋁和摻鉺鋰酸鈮放大器等。

  然而,已報(bào)道的基于集成光子波導(dǎo)放大器的輸出功率遠(yuǎn)低于 1 毫瓦(<<1mW),遠(yuǎn)不能滿足實(shí)際應(yīng)用中所需要的幾十、甚至上百毫瓦的輸出光功率。因此,相關(guān)研究成果僅停留在原理驗(yàn)證階段,實(shí)際應(yīng)用價(jià)值十分有限。

  而實(shí)現(xiàn)高增益、高輸出的集成波導(dǎo)放大器,所面臨的主要挑戰(zhàn)和限制因素是:可實(shí)現(xiàn)的鉺離子摻雜濃度、波導(dǎo)背景損耗、及波導(dǎo)長(zhǎng)度。不同于傳統(tǒng)的半導(dǎo)體光放大器,摻雜在宿主材料中的鉺離子的吸收和輻射截面積較小,因此需要提高鉺離子摻雜濃度來(lái)提高增益系數(shù)(單位長(zhǎng)度增益)。

  但是,離子摻雜濃度不能被一味地提高。因?yàn)樵诟唠x子濃度下,鉺離子之間的距離將變得更小,從而產(chǎn)生更強(qiáng)的相互作用,具體體現(xiàn)為更強(qiáng)的共協(xié)上轉(zhuǎn)換效應(yīng),即處于激發(fā)態(tài)的相鄰鉺離子,分別躍遷到更高的激發(fā)態(tài)和基態(tài),從而降低粒子數(shù)反轉(zhuǎn)程度,其后果是不僅會(huì)浪費(fèi)泵浦功率,而且會(huì)限制增益系數(shù)。

  因此,在提高鉺離子摻雜濃度的同時(shí),該團(tuán)隊(duì)希望同時(shí)得到較低的共協(xié)上轉(zhuǎn)換效應(yīng)系數(shù),所以他們需要研究和選擇合適的稀土離子摻雜方式。在這個(gè)工作中,他們回顧并使用高能稀土離子注入的技術(shù),以解決現(xiàn)有各種摻雜方法的不足。

  最后一個(gè)要考慮的要點(diǎn)在于,可實(shí)現(xiàn)的光放大總增益,與鉺離子濃度和波導(dǎo)長(zhǎng)度呈正相關(guān)。所以,對(duì)于實(shí)現(xiàn)高增益放大器,人們通常需要在指甲蓋大小的毫米尺寸光芯片上,實(shí)現(xiàn)長(zhǎng)達(dá)幾十厘米的光波導(dǎo)。同樣,他們也需要實(shí)現(xiàn)超低的集成光波導(dǎo)的背景損耗,以減少在如此長(zhǎng)的波導(dǎo)中泵浦光和信號(hào)光功率的衰減, 提高效率與減小噪聲。

  因?yàn)椴牧虾图庸すに嚨南拗疲瑢?shí)現(xiàn)結(jié)構(gòu)緊湊的低損耗長(zhǎng)波導(dǎo)一直以來(lái)是集成光子學(xué)中的一個(gè)研究挑戰(zhàn),直到近幾年才得到了解決?;谝陨霞夹g(shù)挑戰(zhàn),盡管近十年來(lái)有諸多相關(guān)的工作,已實(shí)現(xiàn)的摻鉺波導(dǎo)放大器與商用光纖放大器之間存在巨大的性能差距。

(來(lái)源:Science)

  展示摻鉺波導(dǎo)放大器在放大寬帶超快脈沖光信號(hào)的適用性

  在該研究中,課題組展示了該器件在放大寬帶超快脈沖光信號(hào)的適用性。針對(duì)氮化硅克爾微腔中產(chǎn)生的孤子光頻梳,他們?cè)趯?shí)驗(yàn)里證明并演示了該波導(dǎo)放大器在功率上的放大。據(jù)介紹,基于片上微腔中非線性克爾效應(yīng)而產(chǎn)生的孤子光頻梳,其泵浦能量轉(zhuǎn)換效率非常低,往往不到百分之一。

  這使得幾乎在所有的孤子光頻梳相關(guān)的應(yīng)用中,都需要使用臺(tái)式光纖放大器對(duì)其進(jìn)行光功率放大。實(shí)驗(yàn)中,他們利用該器件將重復(fù)頻率在微波頻段的(19.8 GHz)的孤子光頻梳,從原來(lái)的 0.08 毫瓦放大超過(guò) 100 倍,達(dá)到了 8.4 毫瓦的輸出功率。

  通過(guò)使用直接光電探測(cè),放大后的光頻梳可被用于產(chǎn)生低噪聲的微波信號(hào)。相比于未放大的光頻梳,針對(duì)受散粒噪聲限制的高頻率微波相位噪聲,放大后的光頻梳可將其降低近 40dB(1 萬(wàn)倍)。

  另外,課題組利用片上放大后的重復(fù)頻率為 100GHz 的孤子光頻梳,單載波功率最高超過(guò) 1 毫瓦,借此他們展示了 10 吉波特率的 QPSK 相干光纖通信,并在超過(guò) 20個(gè) ITU 波分復(fù)用通道上實(shí)現(xiàn)了可靠的信號(hào)傳輸。

  據(jù)介紹,三位論文主要作者劉陽(yáng)博士、邱哲儒、紀(jì)歆茹,都因 EPFL 而相遇。其中,劉陽(yáng)和紀(jì)歆茹都曾求學(xué)于湖北,劉陽(yáng)的本碩均畢業(yè)于華中科技大學(xué),紀(jì)歆茹本科期間先后在武漢大學(xué)和法國(guó)里昂大學(xué)接受培養(yǎng);邱哲儒則在中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)拿到學(xué)士學(xué)位。而紀(jì)歆茹和邱哲儒在求學(xué)上的交集之處,在于兩人均是 EPFL 的直博生;劉陽(yáng)則在悉尼大學(xué)物理系博士畢業(yè)后,獲歐盟瑪麗居里居里學(xué)者項(xiàng)目資助來(lái)到 EPFL 做博后研究,開(kāi)展并領(lǐng)導(dǎo)基于稀土離子摻雜的集成光子器件的研究。

  對(duì)于后續(xù)計(jì)劃,論文作者表示:“我們正致力于將該放大器與其他片上器件相結(jié)合,比如克爾微腔等器件,以實(shí)現(xiàn)功能更復(fù)雜的、結(jié)構(gòu)更緊湊的集成光子器件和系統(tǒng)。例如,在同一個(gè)芯片上實(shí)現(xiàn)孤子光頻梳的產(chǎn)生以及放大,直接輸出實(shí)際應(yīng)用需求的光功率。”

  事實(shí)上,通過(guò)將波導(dǎo)放大器與片上的反射器和濾波器結(jié)合,該團(tuán)隊(duì)已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了超低相位噪聲的可調(diào)諧激光器。而在不遠(yuǎn)的將來(lái),其將有望實(shí)現(xiàn)片集成的超快鎖模激光器,以用于微波光子信號(hào)產(chǎn)生、超高速光子采樣、和超大帶寬數(shù)模轉(zhuǎn)換器等。另外,他們還將利用其他稀土離子,以拓展放大器和激光器的工作波長(zhǎng),發(fā)揮其在生化傳感探測(cè)等領(lǐng)域的應(yīng)用潛力。

  參考:

  1、Yang Liu, Zheru Qiu, Xinru Ji, Anton Lukashchuk, Jijun He, Johann Riemensberger, Martin Hafermann, Rui Ning Wang, Junqiu Liu, Carsten Ronning, and Tobias J. Kippenberg. A photonic integrated circuit based erbium-doped amplifier. Science, 17 June 2022. DOI: 10.1126/science.abo2631

  2、https://www.science.org/doi/10.1126/science.abq8422

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關(guān)鍵字: 放大器 摻鉺 波導(dǎo) 光子集成 增益
文章標(biāo)題:中國(guó)科學(xué)家研發(fā)摻鉺波導(dǎo)放大器,片上輸出光功率超140mW
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