芯波微電子發(fā)布系列高端突發(fā)模式跨阻放大器產(chǎn)品

XB1202：滿足E2標(biāo)準(zhǔn)的高靈敏度10G XGSPON突發(fā)模式跨阻放大器

  繼20年發(fā)布并量產(chǎn)國內(nèi)第一顆10G突發(fā)模式跨阻放大器XB1201之后，芯波微電子于近期發(fā)布了滿足E2標(biāo)準(zhǔn)的高靈敏度10G XGSPON突發(fā)模式跨阻放大器芯片XB1202。相比XB1201，XB1202的芯片在如下方面做了提升：

  · 輸入等效噪聲水平從750nA降到了550nA。相應(yīng)的突發(fā)靈敏度提高了約1.5dB，可達(dá)-33dBm（等效4.6μA平均輸入電流）；

  · 引入復(fù)位電路，大大減小大信號情況下的占空比失真；

  · 在控制噪聲的前提下大幅提升前級帶寬，從而最大限度消除了配合各種不同ONU時發(fā)生中間光誤碼的可能性；

  · 小信號跨阻增益增加至6KΩ，方便后端信號檢測電路的工作。

XB1221：性能領(lǐng)先的25G突發(fā)模式跨阻放大器

  XB1221是國內(nèi)首個發(fā)布并通過用戶測試的25Gbps突發(fā)模式跨阻放大器芯片。相比進(jìn)口芯片，XB1221擁有優(yōu)異的性能：

  · 只需單個復(fù)位信號脈沖即可實(shí)現(xiàn)優(yōu)異的突發(fā)響應(yīng)，突發(fā)響應(yīng)時間小于25ns；

  · 25G模式下實(shí)測雙包突發(fā)模式靈敏度-28dBm；

  · 過載性能優(yōu)于-5dBm；

  · 小信號帶寬19GHz，小信號跨阻增益6KΩ；

  · 功耗約100mW。

XB1231：全球首發(fā)的50G突發(fā)模式跨阻放大器

  XB1231是全球第一顆可提供樣片的50G突發(fā)模式跨阻放大器芯片。該芯片擁有高達(dá)33GHz的優(yōu)異帶寬，并在APD或Flex帶寬不足時具備一定頻率補(bǔ)償能力。XB1231的增益約為1.9KΩ，輸入等效噪聲僅有2μA，帶復(fù)位信號，突發(fā)響應(yīng)時間小于25ns。

  值得一提的是，上述三個OLT端新產(chǎn)品全部一次投片成功，展現(xiàn)了芯波微團(tuán)隊(duì)在高端突發(fā)模式跨阻放大器領(lǐng)域的深厚技術(shù)積累。所有產(chǎn)品均備有樣片可供測試和購買。產(chǎn)品信息、項(xiàng)目合作、樣片申請或購買等事項(xiàng)，請聯(lián)系：sale@sibroad.com

  作者按：芯波微電子提供OLT/ONU的全棧光接入解決方案。如性能優(yōu)異的50G NRZ跨阻放大器芯片XB1131、10G增強(qiáng)型跨阻放大器XB1110，以及收發(fā)芯片等。ONU相關(guān)產(chǎn)品將另文介紹，敬請關(guān)注。