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AOI宣布推出200 Gbps PAM4 PIN光電二極管陣列

摘要:AOI宣布開發(fā)用于高速光接收器200Gbps PIN光電二極管(PD)陣列芯片。新型4x50 Gbps InGaAs PAM4 PIN PD陣列基于AOI的4x25 Gbps PIN PD陣列技術(shù),專為200G和400G數(shù)據(jù)中心收發(fā)器模塊中使用的PAM4接收器而設(shè)計。

  ICCSZ訊(編譯:Vicki) AOI宣布開發(fā)用于高速光接收器200Gbps PIN光電二極管(PD)陣列芯片。

  新型4x50 Gbps InGaAs PAM4 PIN PD陣列基于AOI的4x25 Gbps PIN PD陣列技術(shù),專為200G400G數(shù)據(jù)中心收發(fā)器模塊中使用的PAM4接收器而設(shè)計。 PIN PD陣列優(yōu)化了光圈尺寸并降低了光電二極管的寄生電容,實(shí)現(xiàn)了25 GHz的高調(diào)制帶寬和適用于PAM4信號檢測的高線性度。

      使用AOI的50 Gbps PAM4直接調(diào)制激光器(DML)測試的典型接收器靈敏度在FEC KP4 BER閾值2E-4時為-12 dBm。 此外,除1x4陣列外,50 Gbps單聲道PD可用于50 Gbps收發(fā)器,用于5G無線和光纖到戶應(yīng)用。

  AOI的研發(fā)副總裁Jun Zheng博士表示:“對于我們的50Gbps PAM4 PIN PD陣列和50 Gbps PAM4 DML或電調(diào)制激光器(EML)的內(nèi)部制造,AOI現(xiàn)在可以控制生產(chǎn)200G400G收發(fā)器所需要的兩個關(guān)鍵光學(xué)組件。這些組件基于50Gbps per lambda技術(shù)。這種垂直整合將提高我們200GbpsDR4/FR4/LR4 和 400 Gbps FR8/LR8收發(fā)器上市時間。”

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