ICC訊 隨著5G商用落地,工業(yè)4.0的持續(xù)推進(jìn),功率半導(dǎo)體作為碳中和的重要技術(shù)受到廣泛關(guān)注。對(duì)比目前的Si功率器件,SiC和GaN等功率半導(dǎo)體具備處理高電壓、大電流的能力,且體積更小,耗電量也大幅降低。
盡管面臨著難以加工的課題,但進(jìn)入21世紀(jì)后,功率半導(dǎo)體相關(guān)產(chǎn)品不斷面世,各國(guó)紛紛展示出空前的重視。
根據(jù)日本運(yùn)營(yíng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)庫(kù)的Astamuse發(fā)布的數(shù)據(jù),在2000年至2017年期間,全球37個(gè)國(guó)家共申請(qǐng)了4.7428萬(wàn)件功率半導(dǎo)體相關(guān)技術(shù)專利。按國(guó)家劃分,美國(guó)的相關(guān)專利達(dá)1.3973萬(wàn)件位于第一位,其次是日本的1.2872萬(wàn)件,中國(guó)的8403件。
從企業(yè)專利數(shù)量來(lái)看,日本的三菱電機(jī)排名第一,為1304件,其次是德國(guó)英飛凌(983件),瑞薩電子(802件),東芝(456件)。富士電機(jī)(409件)排在第六,日立制作所(398件)為第七名。
美國(guó)公司中,英特爾以423件發(fā)明專利位居第五位,韓國(guó)的三星SDI則以280件位居第十。
日經(jīng)認(rèn)為,盡管日本在世界半導(dǎo)體市場(chǎng)上的優(yōu)勢(shì)地位已然暗淡,但在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域其仍占有一席之地。另外,中國(guó)公司雖沒(méi)能躋身榜單前幾名,但觀察全球,各國(guó)近期的專利申請(qǐng)數(shù)的增長(zhǎng)勢(shì)頭已經(jīng)超過(guò)了美國(guó),今后有可能會(huì)崛起。