化合物半導(dǎo)體襯底制造商AXT已開(kāi)發(fā)出其首批8英寸GaAs襯底并將其給了主要客戶。這些8英寸GaAs襯底是摻硅n型襯底,具有低腐蝕坑密度(EPD)和低水平滑移線。
摻硅n型襯底表現(xiàn)出低腐蝕坑密度(EPD)和低水平滑移線
“這是AXT的一項(xiàng)重大成就和重要里程碑,”首席執(zhí)行官M(fèi)orris Young說(shuō),“直徑大小的每一步提升都伴隨著生產(chǎn)技術(shù)挑戰(zhàn)的大幅增加。但是,AXT一直是該領(lǐng)域的先驅(qū),以企業(yè)家精神來(lái)推動(dòng)創(chuàng)新,以釋放新應(yīng)用的潛力。此外,我們第一批晶圓的材料質(zhì)量證明了我們對(duì)品質(zhì)卓越的承諾和我們VGF晶體生長(zhǎng)工藝的差異化。我們很高興能夠在擴(kuò)展性、低應(yīng)力和低缺陷率方面為我們的客戶提供有意義的優(yōu)勢(shì)。”
由于大批量應(yīng)用的市場(chǎng)發(fā)展,許多客戶對(duì)AXT表示了濃厚興趣,這些應(yīng)用包括用于3D傳感器和LiDAR的VCSEL,以及用于顯示器的microLED。AXT預(yù)測(cè),當(dāng)這些應(yīng)用被采用后,對(duì)8英寸GaAs晶圓的需求范圍將會(huì)擴(kuò)展。
Young接著表示:“盡管我們?cè)谶@個(gè)項(xiàng)目上仍有開(kāi)發(fā)工作要做,但我們?cè)诙ㄅd和喀左新建的世界一流的生產(chǎn)設(shè)施可以使8英寸砷化鎵晶圓具有商業(yè)可行性。AXT的兩個(gè)新設(shè)施都是專(zhuān)門(mén)為大批量制造化合物半導(dǎo)體襯底而設(shè)計(jì)和建造的,使用了先進(jìn)的設(shè)備和改進(jìn)的自動(dòng)化。此外,在設(shè)計(jì)新設(shè)施時(shí)還考慮到了制造量的擴(kuò)大,我們相信我們有一條開(kāi)發(fā)和推出8英寸砷化鎵襯底大批量生產(chǎn)線的捷徑。"
新聞來(lái)源:CSC化合物半導(dǎo)體