西安三星工廠開啟工藝升級！

  ICC訊  上周一，三星電子和 SK 海力士等韓國公司獲得美國政府無限期豁免，其中國工廠無需特別許可即可進(jìn)口美國芯片設(shè)備。

  對于三星來說這無疑是一個好消息，而且他們在取得豁免后也確實(shí)在采取相應(yīng)措施。據(jù) Business Korea 報(bào)道，三星電子高層已決定將其西安 NAND 閃存工廠升級到 236 層 NAND 工藝，并已開始大規(guī)模擴(kuò)張。

  消息人士稱，三星已開始采購最新的半導(dǎo)體設(shè)備，新設(shè)備預(yù)計(jì)將在 2023 年底交付，并于 2024 年在西安工廠陸續(xù)引進(jìn)可生產(chǎn)第 8 代 NAND 的設(shè)備，這也被業(yè)界視為克服全球 NAND 需求疲軟導(dǎo)致產(chǎn)能下降的戰(zhàn)略步驟。

  公開資料顯示，三星(中國)半導(dǎo)體有限公司 2012 年落戶西安高新區(qū)，而三星半導(dǎo)體西安工廠是該公司唯一的海外存儲器半導(dǎo)體生產(chǎn)基地。

  該工廠于 2020 年增設(shè)了第二期工廠項(xiàng)目，目前已發(fā)展成為全球最大的 NAND 制造基地，每月可生產(chǎn) 20 萬片 12 英寸晶圓，這占據(jù)了三星 NAND 總產(chǎn)量的 40% 以上。

  三星西安工廠第一工廠投資 108.7 億美元，2017 年開始建造的第二工廠，先后投資了 150 億美元。