II-VI與英飛凌簽署多年合同 供應(yīng)用于電力電子的碳化硅基板

  ICC訊（編譯：Nina）2022年8月23日，寬帶隙化合物半導(dǎo)體的領(lǐng)導(dǎo)者II-VI公司(Nasdaq: IIVI)今天宣布，它與英飛凌科技股份有限公司(FSE：IFX / OTCQX：IFNNY)簽署了一份多年合同，為后者提供用于電力電子的150毫米碳化硅(SiC)基板。

  電動汽車(EV)市場的飛速增長正在推動EV動力傳動系統(tǒng)、車載電池充電單元和充電基礎(chǔ)設(shè)施對基于SiC的電力電子設(shè)備的需求。與最先進的硅基器件相比，SiC使電力電子器件更小、更高效，系統(tǒng)級總擁有成本更低。通過這份合同，英飛凌正在采取戰(zhàn)略步驟來確保其150毫米SiC基板的供應(yīng)。II-VI和英飛凌還將合作向200毫米SiC基板過渡。

  II-VI新風(fēng)險投資與寬帶隙電子技術(shù)業(yè)務(wù)部(New Ventures & Wide-Bandgap Electronics Technologies Business Unit)執(zhí)行副總裁Sohail Khan表示：“英飛凌作為功率半導(dǎo)體的市場領(lǐng)導(dǎo)者，是我們的重要合作伙伴。我們高度專業(yè)化的產(chǎn)品現(xiàn)在正在幫助英飛凌為全球主要客戶提供創(chuàng)新的電子元件。”

  英飛凌首席采購官Angelique van der Burg表示：“SiC化合物半導(dǎo)體在功率密度和效率方面樹立了新標(biāo)準(zhǔn)。我們正在利用它們來實現(xiàn)我們的去碳化和數(shù)字化戰(zhàn)略。英飛凌正在加大對SiC制造能力的投資，以滿足客戶快速增長的需求。我們很高興將II-VI加入到我們的戰(zhàn)略供應(yīng)商群，共同發(fā)展我們的業(yè)務(wù)。”

  2022年3月，II-VI宣布將在賓夕法尼亞州伊斯頓近30萬平方英尺的工廠進行大規(guī)模擴建，加快在150毫米和200毫米SiC基板制造方面的投資。隨著這次擴建，到2027年，II-VI 150毫米基板年產(chǎn)能將達到110萬個，200毫米基板的比例將隨著時間的推移而增長。