ICC訊 去年底臺積電宣布3nm量產(chǎn),預(yù)計今年年中之后在終端層面開始大規(guī)模應(yīng)用。
隨后有業(yè)內(nèi)專家透露,臺積電3nm的良率可達(dá)80%,非??捎^。
然而,提前半年投產(chǎn)3nm的三星,則有些尷尬,據(jù)說良率僅20%。這個表現(xiàn),難怪沒有大廠敢下單。
雖說三星上馬了GAA晶體管,技術(shù)難度高算是情有可原,然而和臺積電差距這么大顯然不是長久之計。
據(jù)報道,三星正在調(diào)整的一個優(yōu)化方案是,在3nm EUV光刻中引進(jìn)穿透率達(dá)90%的掩模保護(hù)膜,供應(yīng)商是本土公司S&S Tech。
EUV光刻與此案的ArF(氟化氬)曝光設(shè)備不同,光反射到鏡子后,再到晶片,因此光源損失很大。要想使光源損失降到最低,必須使用穿透率超過90%的EUV用保護(hù)膜,從而保護(hù)光罩。
三星這一調(diào)整,能否有效提高3nm GAA芯片的良率,還有待檢驗。
新聞來源:快科技