紅外探測(cè)器技術(shù)獲突破，關(guān)注國(guó)產(chǎn)化投資機(jī)遇

        ICC訊  紅外探測(cè)器利用紅外輻射進(jìn)行成像，基于紅外在大氣傳輸存在的“大氣窗口”，紅外線的應(yīng)用分為短波紅外、中波紅外和長(zhǎng)波紅外三大類。短波紅外利用目標(biāo)反射環(huán)境中普遍存在的短波紅外輻射，在分辨率和細(xì)節(jié)上類似于可見光圖像；長(zhǎng)波、中波紅外成像利用室溫目標(biāo)自身發(fā)射的熱輻射，用于各種紅外熱視設(shè)備。

        紅外熱成像儀主要分為軍用和民用兩個(gè)產(chǎn)品市場(chǎng)。最早運(yùn)用在軍事領(lǐng)域，隨著紅外成像技術(shù)的發(fā)展與成熟，低成本的民用紅外像設(shè)備出現(xiàn)，在民用領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。兩個(gè)市場(chǎng)相對(duì)獨(dú)立，所需產(chǎn)品類型存在較大差異，軍用以高性能制冷型探測(cè)器為主，民用市場(chǎng)偏好低成本非制冷探測(cè)器。

        紅外探測(cè)器是紅外產(chǎn)業(yè)鏈的核心，紅外探測(cè)器性能高低直接決定了紅外成像的質(zhì)量。據(jù)具體的需求和應(yīng)用，紅外探測(cè)器會(huì)有不同的分類，最為常見的是根據(jù)制冷需求，分為制冷紅外探測(cè)器和非制冷紅外探測(cè)器。制冷型探測(cè)器對(duì)應(yīng)的為基于光電效應(yīng)的光子傳感器，目前第三代制冷型紅外光電探測(cè)器的材料主要包含HgCdTe、量子阱光探測(cè)（QWIPs）、II類超晶格（II-SLs）與量子點(diǎn)光探測(cè)（QDIPs）四種；非制冷型探測(cè)器對(duì)應(yīng)的是基于入射輻射的熱效應(yīng)的熱探測(cè)器，商用非制冷探測(cè)器目前主要由氧化釩、非晶硅或硅二極管制造。

        不同的公司采用的技術(shù)路線存在較大差異，國(guó)外紅外探測(cè)器公司以綜合性為主。多數(shù)公司產(chǎn)品包括制冷型和非制冷型，可以達(dá)到全波段紅外覆蓋，例如美國(guó)的雷神（Raytheon）、DRS、TIS、法國(guó)的Sofradir、以色列的SCD等，主要產(chǎn)品用于軍用；FLIR公司作為全球最大紅外熱像儀商業(yè)公司，主要自產(chǎn)焦平面產(chǎn)品主要包括氧化釩非制冷紅外探測(cè)器、中波紅外的InSb以及短波紅外的InGaAs陣列。

        國(guó)內(nèi)的探測(cè)器力量主要包括研究院所如上海技物所、中電11所、北方夜視以及民企如高德紅外、大立科技、睿創(chuàng)微納等。從民企角度來(lái)看，三家公司技術(shù)路線也存在較大差異，高德紅外產(chǎn)品覆蓋較廣，包括非制冷氧化釩探測(cè)器、制冷型碲鎘汞及二類超晶格紅外探測(cè)器三大類；大立科技集中發(fā)展非制冷探測(cè)器，沿襲法國(guó)Sofradir非晶硅工藝；睿創(chuàng)微納產(chǎn)品集中于非制冷氧化釩探測(cè)器。

        目前國(guó)內(nèi)外企業(yè)的紅外探測(cè)器材料的制造工藝都趨于成熟，技術(shù)路線也相對(duì)確定。短期內(nèi)各企業(yè)發(fā)展重點(diǎn)為基于現(xiàn)有工藝上的追求高性能、小型化和低成本的產(chǎn)品升級(jí)。在投資標(biāo)的選擇上，建議重點(diǎn)關(guān)注技術(shù)優(yōu)勢(shì)突出、下游應(yīng)用潛力較大的頭部上市公司，包括高德紅外、大立科技、睿創(chuàng)微納等。