三星電子在美半導體工廠建設(shè)成本大增近50%

  ICC訊 據(jù)報道，三星電子在美國德克薩斯州泰勒市建設(shè)的半導體工廠預計將耗資超過250億美元，這比三星在該半導體廠破土動工時宣布的170億美元增加了80多億美元。而成本增加的主要原因是全球通貨膨脹導致的原材料價格上漲。

  據(jù)了解，三星這一先進半導體生產(chǎn)基地將占用約500萬平方米的土地，計劃將于2024年下半年投產(chǎn)。據(jù)報道，三星目前對泰勒晶圓廠的投資是其最初宣布的投資(170億美元)的一半。

  由于美國半導體支持法案中的一些不利條款，如需要企業(yè)分享超額利潤以及不能在中國增加芯片產(chǎn)量等，三星電子正在考慮是否向美國政府申請補貼的問題。

  不過，一位業(yè)內(nèi)人士表示：“即使三星電子獲得美國的補貼，韓國芯片制造商也很難支付增加的建設(shè)成本。這將加深三星電子的擔憂?！?

  專家們認為，從長遠來看，三星電子的半導體投資計劃不太可能有大的改變。即使在半導體市場不景氣的時候，該公司也能通過保持投資規(guī)模來保證生產(chǎn)能力，因此預計該芯片制造商在接下來的日子里會堅持這一策略。