HiLight Semiconductor推出應用于10Gbps長距離傳輸和下一代10G-PON高靈敏度CMOS TIA

  ICC訊 全球領先的光通信CMOS集成電路芯片制造商HiLight Semiconductor宣布推出應用于10Gbps長距離傳輸和下一代10G-PON的高靈敏度跨阻放大器（TIA）HLR11G1。

  HLR11G1專為雪崩光電二極管（APD）應用而設計。該款TIA可廣泛用于各種需要超高靈敏度的10Gbps應用，例如長距離傳輸10Gbps“ZR”收發(fā)器、可調DWDM光器件和10G-PON接收器。該TIA的關鍵參數(shù)具有內部數(shù)字溫度補償功能，可在整個工溫范圍內保持出色的靈敏度和過載性能。HLR11G1采用先進的CMOS工藝設計，配用合適的APD可以提供很低抖動性能和非常低的系統(tǒng)級色散代價。

  HLR11G1與高增益APD配合，靈敏度典型值為-29dBm（BER=1E-12）和-35dBm（BER=1E-3）；與主流的國產10G APD配合，靈敏度可測到-28 dBm（BER=1E-12）和-33dBm（BER=1E-3），比前一代TIA提高了至少1dB。HLR11G1卓越的性能為長距離傳輸、DWDM和NG-PON2等應用提供了更多性能余量。

  HLR11G1的其他特性和性能優(yōu)勢包括：4.2kohm跨阻增益、僅21mA的供電電流（低功耗）以及配合APD應用時優(yōu)于-4dBm的過載性能。

  TIA尺寸僅為0.7 mm x 1.05mm，可輕松裝配在標準TO-can光學組件中。

  HLR11G1錄屬于HiLight高端CMOS PMD系列產品，該系列產品可用于市場需求量大的10Gbps至25Gbps應用如數(shù)據通信、無線和FTTx PON。

  HiLight營銷副總Christian Rookes評論道:“ HLR11G1為10G長距離應用和下一代PON提供世界一流的靈敏度，該TIA與HiLight現(xiàn)有系列的CMOS DML激光驅動收發(fā)器IC產品一起使用可制成高集成、低功耗和低成本的光收發(fā)模塊。”

  HiLight銷售副總Jess Brown博士評論道:“ 很興奮HiLight再次推出突破性的CMOS產品，HLR11G1擁有優(yōu)于競爭對手的性能，高性價比的技術優(yōu)勢能充分發(fā)揮客戶系統(tǒng)潛能?！?

  HLR11G1已經開始發(fā)樣，感興趣的客戶請聯(lián)系當?shù)劁N售代表以獲取更多信息。

  關于HiLight Semiconductor Limited:

  HiLight半導體是一家有風投機構投資的Fabless芯片設計公司，2012年由有豐富初創(chuàng)企業(yè)經驗的人員所創(chuàng)立。專注于納米級CMOS工藝設計并提供用于高速光纖通信和網絡/數(shù)據中心應用的高性能的PMD和PHY 芯片。

  到目前為止，HiLight已經銷售超過8000萬片ICs。

  HiLight的總部位于英國南安普敦，在英國布里斯托爾設有設計中心，并在中國大陸(深圳，武漢，上海，成都)、臺灣和日本設有銷售以及技術支持辦事處。