ICC訊 5月9日,據(jù)臺媒《經(jīng)濟日報》報道,聯(lián)電晶圓代工成熟制程訂單充裕,毛利率沖高之際,布局當(dāng)紅的第三代半導(dǎo)體也再進化,主攻難度更高、經(jīng)濟效益更好的8英寸晶圓第三代半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,近期大舉購置新機臺擴產(chǎn),預(yù)計下半年進駐廠區(qū)。
圖源:經(jīng)濟日報
報道稱,法人指出,“聯(lián)家軍”出身的大將已在中國臺灣地區(qū)第三代半導(dǎo)體搶下一片天。例如聯(lián)電前資深副總經(jīng)理徐建華退休后,轉(zhuǎn)戰(zhàn)漢磊投控,出任漢磊投控旗下漢磊與嘉晶兩家公司董事長,并成功帶領(lǐng)漢磊與嘉晶量產(chǎn)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品。
另外,聯(lián)電此前第三代半導(dǎo)體布局,主要透過轉(zhuǎn)投資聯(lián)穎切入,鎖定6英寸氮化鎵產(chǎn)品,主要考量目前業(yè)界氮化鎵整體解決方案提供者較少。目前,聯(lián)穎正在進行技術(shù)平臺建置,完成后會把平臺開放給設(shè)計公司客戶使用,擴大接單利益基礎(chǔ)。
供應(yīng)鏈則透露,聯(lián)電近期擴大第三代半導(dǎo)體布局,自行購置蝕刻、薄膜新機臺,預(yù)計下半年將進駐8英寸AB廠,瞄準(zhǔn)8英寸晶圓生產(chǎn)第三代半導(dǎo)體的經(jīng)濟效益優(yōu)于6英寸晶圓的方向,全力搶第三代半導(dǎo)體商機。對此,聯(lián)電財務(wù)長劉啟東回應(yīng),集團在第三代半導(dǎo)體的發(fā)展上,仍以聯(lián)穎為主,聯(lián)電則進行研發(fā),不過確實有在合作,但細(xì)節(jié)不便透露。
業(yè)界分析,第三代半導(dǎo)體薄膜厚度比一般晶圓代工還厚,很容易導(dǎo)致晶圓彎曲,鑒于制程難度,目前業(yè)界發(fā)展第三代半導(dǎo)體多以6英寸為主。不過,6英寸晶圓半徑是5公分,8英寸晶圓半徑則是10公分,所以8英寸相對6英寸,一片可以產(chǎn)出的芯片量會“多出很多”,在經(jīng)濟效益較高的前提下,聯(lián)電選擇切入8英寸第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域。
新聞來源:集微網(wǎng)
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