SiPC2024 | 國家信息光電子創(chuàng)新中心肖希：NOEIC光電子芯片fabless服務體系和技術進展

  ICC訊 2024年5月17日，由國家信息光電子創(chuàng)新中心、鵬城實驗室主辦，ICC訊石承辦的第六屆硅光產業(yè)論壇(SiPC 2024)的在武漢光谷科技會展中心舉辦。國家信息光電子創(chuàng)新中心總經(jīng)理肖希博士，帶來主題演講《NOEIC光電子芯片fabless服務體系和技術進展》。

  肖希博士指出，硅光產業(yè)的發(fā)展并非一帆風順。從2000年左右IBM和英特爾率先揭開了硅光產業(yè)的序幕，該領域經(jīng)歷了長時間的探索與積累，直至近年才正式進入迅猛增長階段。雖然硅光在光通信領域的應用前景一度被寄予厚望，但現(xiàn)實需求并未能完全匹配其巨大的產能潛力。然而，令人驚喜的是，硅光技術率先在算力集群中實現(xiàn)了應用，并在海外尤其是英偉達等企業(yè)的推動下，迅速占據(jù)了機柜間互聯(lián)市場的主導地位。

  肖希博士強調，硅光之所以能在算力網(wǎng)市場迅速崛起，主要得益于其基于fabless模式開發(fā)的新型光電子產業(yè)鏈條。從設計仿真到工藝加工制備，再到封裝和測試，整個環(huán)節(jié)都實現(xiàn)了標準化，吸引了國內外眾多公司的參與。國家信息光電子創(chuàng)新中心自建設之初就致力于探索和深化硅光的fabless模式，投入超過6億元打造了包括硅光設計仿真、設施篩檢、后端混合集成封測以及三五族高端芯片等多個中試平臺，為硅光產業(yè)鏈的發(fā)展提供了有力支撐。

  論壇上，肖希博士還分享了一系列硅光技術的關鍵突破，包括解決超過100G赫茲硅光調試器器件的技術難題，實現(xiàn)400G以內的相干光芯片產業(yè)化，以及800G以內的數(shù)通芯片產業(yè)化等。此外，中心還致力于深化光電融合新的芯片體系研究，成功實現(xiàn)了三維封裝硅光3D的發(fā)射和接收技術，單片互聯(lián)帶寬可高達2PB每秒，為硅光技術的未來發(fā)展開辟了新的可能性。

  基于平臺的能力，肖希博士表示，國家信息光電子創(chuàng)新中心已支持國內近200家單位，完成了400余次服務訂單，幫助客戶解決了110G赫茲鈮酸鋰薄膜產業(yè)化調制等問題。未來，中心還將與合作伙伴共同推進12寸硅光PDK國產化、8寸鈮酸鋰薄膜PDK及8寸氮化硅PDK的開發(fā)，以推動硅光技術的進一步發(fā)展和應用。

  對于硅光產業(yè)的未來，肖希博士提出了新的使命——將光子信息技術融入集成電路領域，開辟新的發(fā)展空間。他強調，這不僅需要光電子領域的專家努力，還需要集成電路領域的相關企業(yè)和工藝線共同協(xié)作，為國內的集成電路發(fā)展開辟一個新的賽道。

  肖希博士認為硅光新的使命不僅僅是跟其他的光芯片材料去PK，而是融合我們各種材料體系的這種技術優(yōu)勢，把我們三五族、鈮酸鋰薄膜、氮化硅和12寸硅光的材料體系能夠兼容并包。

  第六屆硅光產業(yè)論壇的成功舉辦，不僅為硅光產業(yè)的發(fā)展提供了重要的交流平臺，也為未來硅光技術的創(chuàng)新和應用指明了方向。隨著技術的不斷進步和市場的不斷擴大，相信硅光產業(yè)將在未來展現(xiàn)出更加廣闊的發(fā)展前景。