ICC訊 近日,臺大與臺積電、美國麻省理工學(xué)院合作研究超3奈米前瞻半導(dǎo)體技術(shù)取得突破。
三方共同發(fā)表突破二維材料缺陷的創(chuàng)新技術(shù),首度提出利用半金屬鉍(Bi)作為二維材料的接觸電極,成功大幅降低電阻并提高電流,據(jù)稱效能接近量子極限。
這項(xiàng)技術(shù)將有助實(shí)現(xiàn)未來1nm以下原子級電晶體的愿景,相關(guān)研究成果刊登于《Nature》國際頂尖學(xué)術(shù)期刊。
據(jù)公眾號《新智元》報道,三方合作自2019年開始,經(jīng)過了三個關(guān)鍵階段。美國麻省理工學(xué)院團(tuán)隊(duì)發(fā)現(xiàn)在二維材料上搭配半金屬鉍(Bi)的電極,能大幅降低電阻并提高傳輸電流。隨后,臺積電技術(shù)研究部門則將“鉍(Bi)沉積制程”進(jìn)行優(yōu)化。最后臺大團(tuán)隊(duì)運(yùn)用“氦離子束微影系統(tǒng)”將元件通道成功縮小至納米尺寸,最終獲得突破性的研究成果。
臺大電機(jī)系暨光電所教授吳志毅表示,在使用鉍(Bi)為接觸電極的關(guān)鍵結(jié)構(gòu)后,二維材料電晶體的效能,不但與硅基半導(dǎo)體相當(dāng),又有潛力與目前主流的硅基制程技術(shù)相容,有助于未來突破摩爾定律極限。
新聞來源:中關(guān)村在線