新加坡AMF推出PIC多層波導(dǎo)硅基氮化硅集成平臺

訊石光通訊網(wǎng) 2018/11/12 0:37:37

  ICCSZ訊(編譯:Aiur) 新加坡先進(jìn)微晶圓廠(Advanced Micro Foundry,AMF),一家從IME獨立出來的新興企業(yè),專注于提供硅光子代工能力,宣布推出多層級硅基氮化硅(SiN-on-Si)的光子集成電路(PIC)平臺。該平臺實現(xiàn)了3D光子納米結(jié)構(gòu)的密集集成,該公司稱其可實現(xiàn)小尺寸、低損耗、性能升級和制造公差。

  AMF表示,SiN-on-Si方法改進(jìn)了硅光子常用的絕緣體上硅(SOI)。 SOI方法在最頂層的硅層上制成光波導(dǎo),并在頂部集成不同的功能(可能使用不同的材料)。SOI方法已經(jīng)成功用于制作光收發(fā)器中的光學(xué)次模塊、有源光纜、醫(yī)學(xué)傳感器、光學(xué)雷達(dá)和其他應(yīng)用。

  不過,AMF CEO Dr. Tan Yong Tsong卻表示:“在其他產(chǎn)品中,例如超大規(guī)模(VLS)的光子集成電路要求高密集集成的片上光學(xué)路由網(wǎng)絡(luò),其一個SOI平臺會受到單一波導(dǎo)層的限制。而與之相反,為了應(yīng)對不同且復(fù)雜的要求,具有更低光學(xué)損耗的多個波導(dǎo)層成為了客戶需求。”

  AMF表示SiN-on-Si方法可以滿足這些新興需求,相比于標(biāo)準(zhǔn)硅,SiN波導(dǎo)提供更低光學(xué)損耗。其與包層氧化物的低折射率對比度也增加了制造公差,在陣列波導(dǎo)光柵(AWG)和其他架構(gòu)下可以充分使用。同時,AMF還補充到,SiN-on-Si方法可將高速調(diào)制器、鍺光電探測器和溫度可調(diào)器件被多個SiN波導(dǎo)集成在雙層SiN-Si或三層SiN-SiN-Si波導(dǎo)系統(tǒng)中。



新聞來源:訊石光通訊網(wǎng)

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